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参数资料
| 型号： | 2SC5843-T3FB-A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MINIMOLD, M16, 1208, 6 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | 2SC5843-T3FB-A |
2SD2088
2009-12-21
4
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
1
10
0.01
0.1
5
0.05
0.1
0.3
0.5
1
*: Single nonrepetitive pulse
Ta = 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
IC max (continuous)
IC max (pulsed)*
VCEO max
1 ms*
10 ms*
100 μs*
DC operation
Ta = 25°C
100
0.3
3
50
30
0.03
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5843-FB-A | L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC5850LBTL-E | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5850 | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5859 | 23 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC584500L | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA MINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC584600L | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5846G0L | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC584800A | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA 1006 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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