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参数资料
| 型号： | 2SC5862 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SMPAK-3 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | 2SC5862 |
2SC5862
Rev.0, Feb. 2002, page 2 of 6
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
50
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
40
V
Emitter to base voltage
V
EBO
5V
Collector current
I
C
100
mA
Emitter current
I
E
–100
mA
Collector power dissipation
P
C*
130
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
*Value on the glass epoxy board (10 mm x 10 mm x 0.7 mm)
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
50
VI
C = 10 A, IE = 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
40
VI
C = 1 mA, RBE = ∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
5
VI
E = 10 A, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
0.5
AV
CB = 30 V, IE = 0
Emitter cutoff current
I
EBO
0.5
AV
EB = 2 V, IC = 0
DC current transfer ratio
h
FE*
1
100
500
V
CE = 12 V, IC = 2 mA
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
0.2
V
I
C = 10 mA, IB = 1 mA
Base to emitter voltage
V
BE
0.75
V
CE = 12 V, IC = 2 mA
Notes: 1. The 2SC5862 is grouped by h
FE as follows.
Grade
B
C
D
Mark
LB
LC
LD
h
FE
100 to 200
160 to 320
250 to 500
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5862 | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5990 | 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC6065 | 1500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6077 | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1136 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC58630QL | 功能描述:TRANS NPN 300VCEO 70MA MINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5865 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, ROHM, TSMT3, |
| 2SC5865TL | 制造商:Rohm 功能描述:NPN 60V 1A 120 to 390 TSMT3 Cut Tape 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, ROHM, TSMT3, |
| 2SC5865TLQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 60V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5865TLR | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 60V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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