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参数资料
| 型号： | 2SC5915(SMP-FD) |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | SMP-FD, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | 2SC5915(SMP-FD) |
2SC5915
No.7408-3/4
IT05553
IT05554
IT05555
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
IT05556
23
5
7 0.1
0.01
23
5
7 1.0
10
23
7
5
0
10
8
6
4
2
9
7
5
3
1
0
1.0
2.0
3.0
5.0
4.0
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
IB=0mA
10mA
20mA
30mA
40mA
50mA
0
2
4
6
8
10
12
VCE=2V
T
a=75
°C
--
2
5°
C
25
°C
3
0.01
0.1
2
3
5
7
5
7
1.0
2
3
5
7
Ta=75
°C
--25
°C
IC / IB=20
60mA
70mA
80mA
90mA
100mA
0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
4.5
3.5
2.5
1.5
0.5
02
4
6
10
8
13
5
7
9
IB=0mA
20mA
2mA
4mA
6mA
8mA
10mA
12mA
14mA
16mA
18mA
25
°C
IC -- VCE
IC -- VBE
Collector
Current,
I
C
-
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
1.0
10
0.1
0.01
IT05559
27
5
32
3
7
2
55
7
3
2
10
100
2
3
5
7
1000
5
7
25
°C
--25
°C
Ta=75
°C
VCE=2V
hFE -- IC
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
IT05561
1.0
10
0.1
0.01
2
100
10
2
3
5
7
1000
27
5
32
3
7
2
55
7
3
5
7
VCE=5V
f T -- IC
Collector Current, IC -- A
Gain-Brandwidth
Product,
f
T
--
MHz
10
100
1.0
0.1
27
5
32
3
7
2
55
7
3
5
2
100
10
3
5
7
2
1000
3
5
7
IT05560
f=1MHz
Cob -- VCB
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
7
5
3
2
1.0
10
0.1
0.01
57
23
7
5
3
2
IT05557
0.01
2
0.1
1.0
3
5
7
2
3
5
7
2
IC / IB=50
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SC5915(SMP) | 10 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SC5916TLR | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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| 2SC5918T100Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT HIGH VOLT 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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