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参数资料
| 型号： | 2SC5967 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 20 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-3PBL, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 29K |
| 代理商： | 2SC5967 |
2SC5967
No.7614-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=5V, IC=1A
15
hFE2VCE=5V, IC=15A
4
7
Collectoe-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=13.5A, IB=3.4A
3
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=13.5A, IB=3.4A
1.5
V
Storage Time
tstg
IC=10A, IB1=1.6A, IB2=--5.0A
3.0
s
Fall Time
tf
IC=10A, IB1=1.6A, IB2=--5.0A
0.2
s
Switching Time Test Circuit
VR
RB
VCC=200V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL=20
100
F
470
F
PW=20
s
D.C.
≤1%
IB1
IB2
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IT06367
16
14
12
10
8
6
4
2
0
010
9
8
7
6
5
4
3
2
1
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IT06366
VCE(sat) -- IC
IC -- VBE
Collector Current, IC -- A
IT06369
hFE -- IC
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
IT06368
25
20
15
10
5
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
IB=0
0.1A
0.2A
0.4A
0.6A
1.2A 1.4A 1.6A 1.8A
2.0A
0.8A
1.0A
VCE=5V
T
a=120
°C
--40
°C
25
°C
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
0.1
3
25
7
3
25
7
2
3
1.0
10
2
3
5
7
1.0
0.1
2
3
5
7
0.01
2
3
5
7
10
Ta= --40
°C
25
°C
120
°C
120
°C
--40
°C
IC / IB=5
25°C
100
5
3
2
3
2
10
1.0
7
5
0.1
3
25
7
3
25
7
2
3
1.0
10
Ta=120°C
25°C
--40°C
VCE=5V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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