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参数资料
| 型号： | 2SC5975 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | HF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MFPAK-4 |
| 文件页数： | 14/20页 |
| 文件大小： | 380K |
| 代理商： | 2SC5975 |
Rev.1.00, Jul.06.2004, page 1 of 17
2SC5975
Silicon NPN Epitaxial
High Frequency Low Noise Amplifier / Oscillator
REJ03G0381-0100Z
Rev.1.00
Jul.06.2004
Features
High gain bandwidth product
fT = 20 GHz typ.
High power gain and low noise figure;
PG = 17.5 dB typ. , NF = 1.15 dB typ. at f = 1.8 GHz
Outline
MFPAK-4
1
4
3
2
1. Emitter
2. Collector
3. Emitter
4. Base
WU-
1
2
3
4
Note:
Marking is “WU-”.
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
12
V
Collector to emitter voltage
VCEO
4V
Emitter to base voltage
VEBO
1.5
V
Collector current
IC
35
mA
Collector power dissipation
Pc
*1
200
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. Value on PCB ( FR-4 : 40 x 40 x 1.6mm Double side )
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5998YC | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5998YC | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6026MFV-GR | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6026MFV-Y | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC752(G)TM-R | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5976(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor NPN 30V 3A hfe250-400 25ns |
| 2SC5980-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:NPN 50V 0.5A 250 to 400 TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 50V 8A TO-251 |
| 2SC5984TLQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT HIGH VOLT 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5990-TD-E | 制造商:SANYO 功能描述:mom 50V 4A 250 to 400 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 50V 4A SOT89 |
| 2SC59930P | 功能描述:TRANS NPN 180VCEO 1.5A TO-220D RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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