- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30573 > 2SC5980 (SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD) 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC5980 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TP, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SC5980 |
2SC5980
No.8091-3/4
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VBE
Collector
Current,
I
C
--
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
8
6
7
4
5
2
3
1
0
8
6
7
4
5
2
3
1
0
0.2
0
0.4
0.6
0.8
1.0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
IT08219
10mA
15mA
20mA
40mA
60mA
80mA
100mA
IB=0
5mA
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
VCE=2V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.1
1.0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
IT08220
30mA
IT08225
5
3
2
100
10
7
IT08223
Ta=75
°C
--25
°C
IT08224
IC / IB=20
25
°C
3
1.0
2
3
Ta= --25°C
25°C
75°C
2
7
5
IC / IB=50
IT08226
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
7
100
1000
7
5
3
2
5
0.01
3
25
0.1
73
25
7
2
3
1.0
57 10
0.01
3
25
0.1
73
25
7
2
3
1.0
5
7
100
10
1000
5
3
2
7
5
3
2
0.01
3
25
0.1
73
25
7
2
3
1.0
57 10
0.1
3
25
1.0
73
25
7
2
3
10
57 100
7
0.1
0.01
5
3
2
7
5
3
2
0.01
3
25
0.1
73
25
7
2
3
1.0
57 10
0.01
3
25
0.1
73
25
7
2
3
1.0
57 10
0.1
0.01
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
3
2
VCE=2V
IT08221
IT08222
IC / IB=50
Ta=75
°C
--25
°C
25°
C
VCE=10V
f=1MHz
VCE(sat) -- IC
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Collector Current, IC -- A
Cob -- VCB
VCE(sat) -- IC
VBE(sat) -- IC
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
--
pF
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
hFE -- IC
f T -- IC
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
--
MHz
Collector Current, IC -- A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5993Q | 1.5 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC6015 | 9000 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6015 | 9000 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6023 | C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6026MFV-Y | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5980-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:NPN 50V 0.5A 250 to 400 TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 50V 8A TO-251 |
| 2SC5984TLQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT HIGH VOLT 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5990-TD-E | 制造商:SANYO 功能描述:mom 50V 4A 250 to 400 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 50V 4A SOT89 |
| 2SC59930P | 功能描述:TRANS NPN 180VCEO 1.5A TO-220D RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC59930Q | 功能描述:TRANS NPN 180VCEO 1.5A TO-220D RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。