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参数资料
| 型号： | 2SC5990 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | 2SC5990 |
2SC5990
No.8118-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=1MHz
15
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=1A, IB=50mA
65
100
mV
IC=2A, IB=100mA
110
165
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=2A, IB=100mA
0.88
1.3
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=10A, IE=0A
100
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CES
IC=100A, RBE=0
100
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=1mA, RBE=∞
50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=10A, IC=0A
-6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
35
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
300
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
20
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm
7007-004
2.5
4.0
1.0
1.5
0.5
0.4
3.0
4.5
1.6
0.4
12
3
1.5
Top View
Bottom View
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : PCP
IT08356
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
VCE=2V
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
0
0.5
1.0
1.5
2.0
3.0
4.0
2.5
3.5
IT09552
0.1
0.2
0.5
0.6
0.3
0.4
0.7
0.8
0.9
1.0
IB=0mA
5mA
10mA
15mA
20mA
30mA
40mA
50mA
80mA
60mA
100mA
VR10
RL=25
VCC=25V
VBE= --5V
10IB1= --10IB2= IC=1A
+
50
INPUT
OUTPUT
RB
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
IB2
D.C.
≤1%
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PDF描述 |
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