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参数资料
| 型号： | 2SC5999 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 25 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | SMP-FD, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 2SC5999 |
2SC5999
No.8029-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=1MHz
170
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=10A, IB=500mA
150
300
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=10A, IB=500mA
0.93
1.4
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=100A, IE=0
120
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CES
IC=100A, RBE=0
120
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=1mA, RBE=∞
50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=100A, IC=0
6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
230
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
1300
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
40
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm
2069C
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : SMP-FD
10.2
1.2
2.55
4.5
0 to 0.3
0.4
1.3
9.9
3.0
2.7
1.35
8.8
1.4
1.5max
0.8
12
3
VR
RB
VCC=20V
IC=20IB1= --20IB2=4A
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
IT07555
0
16
14
12
10
8
6
4
2
02
4
6
10
8
IT07556
0
25
20
15
10
5
01
2
3
5
4
IB=0
50mA
5mA
10mA
15mA
150mA
100mA
250mA 200mA
25mA
20mA
30mA
35mA
40mA
45mA
50mA
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5999 | 25 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC6011O | 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC6014 | 5000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6014 | 5000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6016 | 8 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC6000 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:High Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications |
| 2SC6000(TE16L1,NQ) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor NPN 50V 7A hfe250-400 13ns |
| 2SC6010 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Triple Diffused Type |
| 2SC6010(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SC6010(T2MITUM,FM | 功能描述:TRANS NPN 1A 600V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 75mA，600mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标准包装:1 |
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