- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33420 > 2SC5999 25 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC5999 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 25 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | SMP-FD, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 2SC5999 |
2SC5999
No.8029-3/4
1.0
10
0.1
0.01
7
5
3
27
5
3
27
5
3
25
3
2
IT07560
0.01
0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
1.0
10
0.1
0.01
IT07561
2
1.0
0.1
2
3
27
5
32
7
5
32
7
5
32
5
3
5
7
25°C
75°C
Ta= --25°
C
IC / IB=20
IT07562
1.0
0.1
35
7
23
5
7
23
5
7
2
10
100
2
3
100
1000
5
7
5
7
f=1MHz
IC / IB=50
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
1.0
10
0.1
0.01
7
5
3
27
5
3
27
5
3
27
5
3
2
IT07559
0.01
0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
IC / IB=20
Ta=75
°C
Ta=75°C
25
°C
25
°C
--25
°C
--25
°C
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
1.8
1.6
1.65
1.2
1.4
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
160
140
120
100
80
60
40
20
0
IT07564
0.1
23
5
7 1.0
23
5
7 10
23
5
7 100
IT07563
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
0.01
100
10
2
3
5
7
3
2
5
7
1.0
100
s
500
s
DC
operation 1ms
10ms
100ms
IC=25A
ICP=40A
≤50
s
IT07557
0
25
30
5
10
15
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
IT07558
100
7
1000
2
3
5
7
23
5 7
23
5 7
23
5 7
23
5 7
0.1
0.01
1.0
10
VCE=2V
T
a=75
°C
--25
°C
25
°C
Ta=75
°C
25
°C
--25°C
VCE=2V
IC -- VBE
Collector
Current,
I
C
--
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
hFE -- IC
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- A
VCE(sat) -- IC
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Collector Current, IC -- A
VBE(sat) -- IC
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
Collector Current, IC -- A
Cob -- VCB
Output
Capacitance,
Cob
--
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
VCE(sat) -- IC
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Collector Current, IC -- A
PC -- Ta
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
Ambient Temperature, Ta --
°C
Forward Bias A S O
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Tc=25
°C
Single pulse
No
heat
sink
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5999 | 25 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC6011O | 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC6014 | 5000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6014 | 5000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6016 | 8 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC6000 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:High Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications |
| 2SC6000(TE16L1,NQ) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor NPN 50V 7A hfe250-400 13ns |
| 2SC6010 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Triple Diffused Type |
| 2SC6010(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SC6010(T2MITUM,FM | 功能描述:TRANS NPN 1A 600V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 75mA，600mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。