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参数资料
| 型号： | 2SC6058LS-M |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | SC-67, TO-220FI(LS), 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | 2SC6058LS-M |
2SC6058LS
No.8560-2/4
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=400V, IE=0A
10
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=5V, IC=0A
10
μA
hFE1VCE=5V, IC=0.8A
20*
50*
DC Current Gain
hFE2VCE=5V, IC=4A
10
hFE3VCE=5V, IC=1mA
10
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=4A, IB=0.8A
0.8
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=4A, IB=0.8A
1.5
V
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=10V, IC=0.8A
15
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=1MHz
50
pF
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=1mA, IE=0A
500
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=5mA, RBE=∞
400
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=1mA, IC=0A
7
V
Turn-On Time
ton
IC=5A, IB1=1A, IB2=--2A, RL=40Ω, VCC=200V
0.5
μs
Storage Time
tstg
IC=5A, IB1=1A, IB2=--2A, RL=40Ω, VCC=200V
2.5
μs
Fall Time
tf
IC=5A, IB1=1A, IB2=--2A, RL=40Ω, VCC=200V
0.3
μs
* : The hFE1 of the 2SC6058LS is classified as follows.
Rank
M
N
hFE
20 to 40
30 to 50
Switching Time Test Circuit
D.C.≤1%
VR
RB
VCC=200V
VBE= --5V
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
RL
100μF
470μF
PW=20μs
IB1
IB2
6
10
8
4
2
0
02
6
48
13
7
59
10
IC -- VCE
IT05057
1000mA
IB=0mA
300mA
200mA
100mA
400mA
500mA
600mA
5
9
7
3
1
700mA
800mA
900mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Base-to-Emitter ON-State Voltage, VBE(on) -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
IT05149
8
6
7
4
5
3
2
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.4
1.2
IC -- VBE(on)
VCE=5V
T
a=120
°C
25
°C
--
4
0°
C
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