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参数资料
| 型号： | 2SC6076 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-7J1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 199K |
| 代理商： | 2SC6076 |
2N3904
Rev.1.00, Jul.22.2004, page 2 of 5
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Collector to base breakdown voltage
V(BR)CBO
60
—
V
IC = 10
A, IE = 0
Collector to emitter breakdown voltage
V(BR)CEO
40
—
V
IC = 1 mA, RBE =
∞
Emitter to base breakdown voltage
V(BR)EBO
6—
—
V
IE = 10
A, IC = 0
Base cutoff current
IBL
—
50
nA
VCE = 30 V, VEB = 3 V
Collector cutoff current
ICEX
—
50
nA
VCE = 30 V, VEB = 3 V
40
—
VCE = 1 V, IC = 100
A
70
—
VCE = 1 V, IC = 1 mA
100
—
300
—
VCE = 1 V, IC = 10 mA
60
—
VCE = 1 V, IB = 50 mA
DC current transfer ratio
hFE
30
—
VCE = 1 V, IB = 100 mA
——
0.2
V
IC = 10 mA, IB = 1 mA
Collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)
——
0.3
V
IC = 50 mA, IB = 5 mA
0.65
—
0.85
V
IC = 10 mA, IB = 1 mA
Base to emitter saturation voltage
VBE(sat)
—
0.95
V
IC = 50 mA, IB = 5 mA
Gain bandwidth product
fT
—
540
—
MHz
VCE = 20 V, IC = 10 mA
Collector output capacitance
Cob
—1.9
—
pF
VCE = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz
Collector input capacitance
Cib
—5.9
—
pF
VCE = 0.5 V, IE = 0, f = 1 MHz
Noise figure
NF
—
1.0
—
dB
VCE = 5 V, IC = 0.1 mA,
f = 1 MHz, Rg = 1 k
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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