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参数资料
| 型号： | 2SCR372PQT100 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 700 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 1063K |
| 代理商： | 2SCR372PQT100 |
Data Sheet
www.rohm.com
2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Midium Power Transistors (120V / 700mA)
2SCR372P
Structure
Dimensions (Unit : mm)
NPN Silicon epitaxial planar transistor
Features
Low saturation voltage
VCE (sat) = 0.3V (Max.) (IC / IB= 500mA / 50mA)
Applications
Driver
Inner circuit(Unit : mm)
Package
Taping
Code
T100
Basic ordering unit (pieces)
1000
2SCR372P
hFE values are classified follows :
Item
Q
R
hFE
120 to 270 180 to 390
Absolute maximum ratings (Ta = 25
C)
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
VCBO
120
V
Collector-emitter voltage
VCEO
120
V
Emitter-base voltage
VEBO
6V
DC
IC
0.7
A
Pulsed
ICP
1.4
A
PD
0.5
W
PD
2W
Junction temperature
Tj
150
C
Range of storage temperature
Tstg
55 to 150
C
*1 Pw=10ms, Single Pulse
*2 Each terminal mounted on a recommended land.
*3 Mounted on a ceramic board. (40x40x0.7mm)
Packaging specifications
Type
Parameter
Collector current
Power dissipation
MPT3
(1)
(2)
(3)
*1
*2
*3
Abbreviated symbol : GX
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
(1)
(3)
(2)
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
1/4
2011.04 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SCR372PT100 | 700 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD0662BR | 70 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SCR375P5T100R | 功能描述:NPN 120V 1.5A MEDIUM POWER TRANS 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 80mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 |
| 2SCR502EBTL | 功能描述:TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:200nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:360MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:EMT3F 标准包装:1 |
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