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参数资料
| 型号： | 2SCR514RTL |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 700 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TSMT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 341K |
| 代理商： | 2SCR514RTL |
www.rohm.com
20
10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Midium Power Transistors (80V / 0.7A)
2SCR514R
Features
Dimensions (Unit : mm)
1) Low saturation voltage, typically
VCE (sat) = 0.3V (Max.) (IC / IB= 300mA / 15mA)
2) High speed switching
Structure
NPN Silicon epitaxial planar transistor
Applications
Driver
Inner circuit
Package
TSMT3
Code
TL
Basic ordering unit (pieces)
3000
Absolute maximum ratings (Ta = 25
C)
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
VCBO
80
V
Collector-emitter voltage
VCEO
80
V
Emitter-base voltage
VEBO
6V
DC
IC
0.7
A
Pulsed
ICP
1.4
A
PD
0.5
W
PD
1.0
W
Junction temperature
Tj
150
C
Range of storage temperature
Tstg
-55 to 150
C
*1 Pw=10ms, Single Pulse
*2 Mounted on a recommended land.
*3 Mounted on a 40 x 40 x 0.7[mm
3] ceramic substrate.
Power dissipation
Packaging specifications
Collector current
Parameter
Type
*1
*2
*3
TSMT3
(1)
(2)
(3)
Abbreviated symbol : ND
(1) Base
(2) Emittrer
(3) Collector
(1)
(3)
(2)
(1) Base
(2) Emittrer
(3) Collector
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2010.06 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SD0662R | 70 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD0662BR | 70 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD662BR | 70 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD662P | 70 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SCR522EBTL | 功能描述:TRANS NPN 20V 0.2A EMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA，2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:400MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:EMT3F 标准包装:1 |
| 2SCR522M | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:General purpose transistor(20V,0.2A) |
| 2SCR522MT2L | 功能描述:TRANS NPN 20V 0.2A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA，2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:400MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:VMT3 标准包装:1 |
| 2SCR522UB | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:General purpose transistor(20V,0.2A) |
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