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参数资料
| 型号： | 2SCR514RTL |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 700 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TSMT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 341K |
| 代理商： | 2SCR514RTL |
Data Sheet
www.rohm.com
20
10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2SCR514R
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
CO
L
E
CT
O
R
O
U
T
P
UT
CAPACI
T
ANCE
:
Co
b
(p
F
)
EM
IT
T
E
R
IN
PUT
CAPACI
T
ANCE
:Ci
b
(p
F
)
COLLECTOR - BASE VOLTAGE : VCB (V)
EMITTER - BASE VOLTAGE : VEB (V)
Fig.7 Emitter input capacitance vs. Emitter-Base Voltage
Collector output capacitance vs. Collector-Base Voltage
Ta=25℃
f=1MHz
IE=0A
IC=0A
Cob
Cib
10
100
1000
10
100
1000
T
R
ANSI
T
IO
N
F
R
EQ
UENCY
:f
T[M
Hz]
EMITTER CURRENT :IE[mA]
Fig8. Gain Bandwidth Product vs. Emitter Current
Ta=25℃
VCE=10V
1
I C
(A
)
Fig9. Safe Operating Area
100
10ms
1ms
0.001
0.01
0.1
1
10
100
COL
L
E
CT
OR
CURRENT
:I
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
Ta=25℃
Single non repetitive pulse
DC
(Mounted on a recommended land)
100ms
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2010.06 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SD0662R | 70 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD662BR | 70 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD662P | 70 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SCR522EBTL | 功能描述:TRANS NPN 20V 0.2A EMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA，2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:400MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:EMT3F 标准包装:1 |
| 2SCR522M | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:General purpose transistor(20V,0.2A) |
| 2SCR522MT2L | 功能描述:TRANS NPN 20V 0.2A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA，2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:400MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:VMT3 标准包装:1 |
| 2SCR522UB | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:General purpose transistor(20V,0.2A) |
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