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参数资料
| 型号： | 2SCR514RTL |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 700 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TSMT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 341K |
| 代理商： | 2SCR514RTL |
Data Sheet
www.rohm.com
20
10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2SCR514R
Electrical characteristic (Ta = 25
C)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Collector-emitter breakdown voltage
BVCEO
80
-
V
IC= 1mA
Collector-base breakdown voltage
BVCBO
80
-
V
IC= 100μA
Emitter-base breakdown voltage
BVEBO
6-
-
V
IE= 100μA
Collector cut-off current
ICBO
--
1
A VCB= 80V
Emitter cut-off current
IEBO
--
1
A VEB= 4V
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
-
100
300
mV IC= 300mA, IB= 15mA
DC current gain
hFE
120
-
390
-
VCE= 3V, IC= 100mA
Turn-on time
ton
-50
-
ns
Storage time
tstg
-
650
-
ns
Fall time
tf
-
100
-
ns
*1 See switching time test circuit
IC= 0.35A, IB1= 35mA,
IB2=-35mA, VCC 10V
Conditions
Collector output capacitance
Cob
-6
-
pF
VCB= 10V, IE=0A
f=1MHz
320
-
MHz
VCE= 10V
IE=-200mA, f=100MHz
Parameter
Transition frequency
fT
-
*1
~_
2/5
2010.06 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SD0662R | 70 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD662BR | 70 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SCR522M | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:General purpose transistor(20V,0.2A) |
| 2SCR522MT2L | 功能描述:TRANS NPN 20V 0.2A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA，2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:400MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:VMT3 标准包装:1 |
| 2SCR522UB | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:General purpose transistor(20V,0.2A) |
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