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参数资料
| 型号： | 2SCR514RTL |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 700 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TSMT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 341K |
| 代理商： | 2SCR514RTL |
Data Sheet
www.rohm.com
20
10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2SCR514R
Electrical characteristic curves (Ta = 25
C)
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
00.511.52
COL
L
E
CT
OR
CURRENT
:I
C
[A
]
COLECTOR TO EMITTER VOLTAGE:VCE[V]
Fig1. Typical Output Characteristics
2.5mA
2.0mA
1.5mA
1.0mA
0.5mA
5mA
Ta=25℃
3mA
10
100
1000
1
10
100
1000
DC
CURRENT
GAIN
:h
F
E
COLLECTOR CURRENT :IC[mA]
Fig2. DC Current Gain vs. Collector Current(Ⅰ)
Ta=25℃
VCE=5V
3V
1000
hF
E
Fig3. DC Current Gain vs.Collector Current(Ⅱ)
VCE=3V
1
A
GE
:V
CE
(s
at)[V
]
Fig4. Collector-Emitter Saturation Voltage vs. Collector Current(Ⅰ)
Ta=25℃
10
100
1
10
100
1000
DC
CURRENT
GAIN
:
COLLECTOR CURRENT :IC[mA]
Ta=125℃
75℃
25℃
-40℃
0.01
0.1
1
10
100
1000
COL
L
ECT
O
R
SAT
URAT
ION
VOL
T
A
COLLECTOR CURRENT :IC[mA]
IC/IB=50
20
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
CO
L
ECT
O
R
SAT
URAT
IO
N
VO
L
T
AG
E
:V
CE
(s
at)[V
]
COLLECTOR CURRENT :IC[mA]
Fig5. Collector-Emitter Saturation Voltage vs. Collector Current(Ⅱ)
IC/IB=20
Ta=125℃
75℃
25℃
-40℃
1
10
100
1000
00.51
COL
L
E
CT
OR
CURRENT
:I
C
[m
A
]
BASE TO EMITTER VOLTAGE: VBE[V]
Fig.6 Ground Emitter Propagation Characteristics
VCE=3V
Ta=125℃
75℃
25℃
-40℃
3/5
2010.06 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD0662R | 70 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD0662BR | 70 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD662BR | 70 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD662P | 70 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD0662Q | 70 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SCR522EB | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:General purpose transistor(20V,0.2A) |
| 2SCR522EBTL | 功能描述:TRANS NPN 20V 0.2A EMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA，2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:400MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:EMT3F 标准包装:1 |
| 2SCR522M | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:General purpose transistor(20V,0.2A) |
| 2SCR522MT2L | 功能描述:TRANS NPN 20V 0.2A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA，2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:400MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:VMT3 标准包装:1 |
| 2SCR522UB | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:General purpose transistor(20V,0.2A) |
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