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参数资料
| 型号： | 2SCR372PQT100 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 700 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 1063K |
| 代理商： | 2SCR372PQT100 |
Data Sheet D14114EJ2V0DS
3
2SK3322
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
VDS - Drain to Source Voltage - V
ID
-
Drain
Current
-
A
10
40
50
20
30
5
10
0
8.0 V
6.0 V
Pulsed
VGS = 10 V
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
VGS - Gate to Source Voltage - V
ID
-
Drain
Current
-
A
15
10
5
0
100
10
1
0.1
0.01
VDS = 10 V
Pulsed
Tch = 125C
75C
25C
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE
vs. CHANNEL TEMPERATURE
Tch - Channel Temperature - C
V
GS(off)
-
Gate
to
Source
Cut-off
Voltage
-
V
50
0
50
100
150
5
4
3
2
1
0
VDS = 10 V
ID = 1 mA
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
110
ID - Drain Current - A
|y
fs
|
-
Forward
Transfer
Admittance
-
S
10
0.1
1
0.1
VDS = 10 V
Pulsed
Tch =
25C
75C
125C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
10
2
VGS - Gate to Source Voltage - V
R
DS
(on)
-Drain
to
Source
On-State
Resistance
-
1
0
515
0
3
ID = 4.0 A
Pulsed
2.8 A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
1
0.1
1
10
100
ID - Drain Current - A
R
DS(on)
-
Drain
to
Source
On-State
Resistance
-
2
0
3
VGS = 10 V
Pulsed
20 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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