| 型号: | 2SCR554RTL |
| 元件分类: | 小信号晶体管 |
| 英文描述: | 1500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装: | TSMT3, 3 PIN |
| 文件页数: | 3/6页 |
| 文件大小: | 408K |
| 代理商: | 2SCR554RTL |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD0592AR | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD0592AS | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD592AR | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD0592S | 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD592Q | 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SCR572D3TL1 | 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 100mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252 标准包装:1 |
| 2SCR573D3TL1 | 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):350mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:320MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252 标准包装:1 |
| 2SCR574D3TL1 | 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:280MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252 标准包装:1 |
| 2SCR574DGTL | 功能描述:TRANS NPN 80V 2A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:280MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1 |
| 2SCR586D3TL1 | 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 100mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252 标准包装:1 |