收藏本站
参数资料
型号： 2SCR554RTL
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 1500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： TSMT3, 3 PIN
文件页数： 4/6页
文件大小： 408K
代理商： 2SCR554RTL
Data Sheet
www.rohm.com
20
10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2SCR554R
　
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
CO
L
ECT
O
R
O
U
T
P
UT
CAPACI
T
ANCE
:
Co
b
(p
F
)
EM
IT
T
E
R
IN
PUT
CAPACI
T
ANCE
:
Ci
b
(p
F
)
COLLECTOR - BASE VOLTAGE : VCB (V)
EMITTER - BASE VOLTAGE : VEB (V)
Fig.7 Emitter input capacitance vs. Emitter-Base Voltage
Collector output capacitance vs. Collector-Base Voltage
Ta=25℃
f=1MHz
IE=0A
IC=0A
Cob
Cib
10
100
1000
10
100
1000
T
R
ANSI
T
IO
N
F
R
EQ
UENCY
:f
T[M
Hz]
EMITTER CURRENT :IE[mA]
Fig8. Gain Bandwidth Product vs. Emitter Current
Ta=25℃
VCE=10V
1
Fig9. Safe Operating Area
100ms
10ms
1ms
R
ENT
:
I C
(A
)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE :VCE(V)
Ta=25℃
Single non repetitive pulse
COL
L
ECT
O
R
CUR
R
DC
（
Mounted on a recommended land)
4/5
2010.06 - Rev.A
相关PDF资料
PDF描述
2SD0592AR 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SD0592AS 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SD592AR 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SD0592S 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SD592Q 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
2SCR572D3TL1 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252 标准包装:1
2SCR573D3TL1 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:320MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252 标准包装:1
2SCR574D3TL1 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:280MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252 标准包装:1
2SCR574DGTL 功能描述:TRANS NPN 80V 2A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:280MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1
2SCR586D3TL1 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252 标准包装:1
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*