参数资料
型号: 2SD0592S
厂商: PANASONIC CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封装: ROHS COMPLIANT, TO-92-B1, 3 PIN
文件页数: 4/4页
文件大小: 446K
代理商: 2SD0592S
Data Sheet D16157EJ1V0DS
2
2SD2425
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
ICBO
VCB = 50 V, IE = 0
10
A
Emitter cutoff current
IEBO
VEB = 6.0 V, IC = 0
10
A
DC current gain
hFE1
VCE = 1.0 V, IC = 0.1 A
60
180
DC current gain
hFE2
VCE = 1.0 V, IC = 2.0 A
100
200
400
DC current gain
hFE3
VCE = 2.0 V, IC = 5.0 A
50
150
Collector saturation voltage
VCE(sat)
IC = 2.0 A, IB = 0.2 A
90
300
mV
Base saturation voltage
VBE(sat)
IC = 2.0 A, IB = 0.2 A
0.9
1.2
V
Turn-on time
ton
0.6
s
Storage time
tstg
0.8
s
Fall time
tf
IC = 2.0 A, VCC= 10 V
IB1 =
IB2 = 0.2 A
RL = 5.0
0.08
s
hFE CLASSIFICATION
Marking
AB1
AB2
AB3
hFE2
100 to 200
160 to 320
200 to 400
TYPICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°°°°C)
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PDF描述
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2SD0602AS 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
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2SD0601A0L 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO MINI 3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR