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参数资料
| 型号： | 2SD0814A |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | For High Breakdown Voltage Low-Frequency And Low-Noise |
| 中文描述： | 50 mA, 185 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | 2SD0814A |
2SD0814A
2
SJC00196CED
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
E
P
C
T
a
I
C
V
CE
I
C
V
BE
C
ob
V
CB
0
160
40
120
80
0
240
200
160
120
80
40
C
C
Ambient temperature T
a
(
°
C)
0
12
10
8
2
6
4
0
120
100
80
60
40
20
T
a
=
25
°
C
1.8 mA
1.0 mA
0.8 mA
0.6 mA
0.4 mA
0.2 mA
I
B
=
2.0 mA
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
0
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
120
100
80
60
40
20
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
Base-emitter voltage V
BE
(V)
C
C
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
I
C
/ I
B
=
10
25
°
C
25
°
C
T
a
=
75
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0.1
1
10
100
0
600
500
400
300
200
100
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
1
10
100
0
200
160
120
80
40
V
CB
=
10 V
T
a
=
25
°
C
T
T
Emitter current I
E
(mA)
1
3
10
30
100
0
5
4
3
2
1
I
E
=
0
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
Collector-base voltage V
CB
(V)
C
o
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD0814 | 0.01UF +/-10% 80V AXI |
| 2SD814 | Silicon NPN epitaxial planer type(For high breakdown voltage low-frequency and low-noise amplification) |
| 2SD814A | Silicon NPN epitaxial planer type(For high breakdown voltage low-frequency and low-noise amplification) |
| 2SD0874 | Silicon NPN epitaxial planar type |
| 2SD0874A | Silicon NPN epitaxial planar type |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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