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参数资料
| 型号： | 2SD1209KTZ-E |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-51, TO-92MOD, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | 2SD1209KTZ-E |
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5
2SD1209(K)
Silicon NPN Epitaxial, Darlington
REJ03G0783-0200
(Previous ADE-208-1143)
Rev.2.00
Aug.10.2005
Application
Low frequency power amplifier
Complementary pair with 2SA1193(K)
Outline
1. Emitter
2. Collector
3. Base
RENESAS Package code: PRSS0003DC-A
(Package name: TO-92 Mod)
3
2
1
3
2
1
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
60
V
Collector to emitter voltage
VCEO
60
V
Emitter to base voltage
VEBO
7
V
Collector current
IC
1
A
Collector peak current
iC(peak)
2
A
Collector power dissipation
PC
0.9
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1209K | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1209K | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1220-R(2-7J1A) | 1500 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1220-O(2-7J1A) | 1500 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1220-Y(2-7B1A) | 1500 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1210 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR |
| 2SD1211 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
| 2SD12110R | 功能描述:TRANS NPN 120VCEO .5A TO-92L RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD12110S | 功能描述:TRANS NPN 120VCEO .5A TO-92L RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1211R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-51 |
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