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参数资料
| 型号： | 2SD1209KTZ-E |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-51, TO-92MOD, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | 2SD1209KTZ-E |
2SD1209(K)
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 3 of 5
Main Characteristics
0
0.4
0.8
1.2
50
Ambient Temperature Ta (
°C)
Collector
Power
Dissipation
P
C
(W)
Maximum Collector Dissipation Curve
100
150
1.0
0.5
0.2
0.1
5
2
10
5
2
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector
Current
I
C
(A)
Area of Safe Operation
10
20
50
100
Ta = 25
°C
1 Shot Pulse
iC(peak)
PW
=
1
ms
10
ms
0.2
0.1
0
0.4
0.3
0.5
2
1
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector
Current
I
C
(A)
Typical Output Characteristics
34
5
Ta = 25
°C
Pulse
IB = 0
2
A
4
6
8
10
12
14
16
0.01
105
104
103
0.05
0.02
Collector Current IC (A)
DC
Current
Transfer
Ratio
h
FE
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
0.1
0.2
0.5
1.0
VCE = 3 V
Pulse
Ta = –25°C
25
75
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
0.5
0.2
10
0.5
1.0
0.2
Base to Emitter Voltage VBE (V)
Collector
Current
I
C
(A)
Typical Transfer Characteristics
25
10
VCE = 3 V
Ta = 25
°C
Pulse
1.0
0.5
0.2
0.01
0.1
5
2
10
0.02
0.05
Collector Current IC (A)
Collector
to
Emitter
Saturation
Voltage
V
CE(sat)
(V)
Collector to Emitter Saturation
Voltage vs. Collector Current
0.2
0.1
0.5
1.0
IC = 1000 IB
Pulse
Ta = –25
°C
25
75
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PDF描述 |
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