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参数资料
| 型号： | 2SD1406O |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 86K |
| 代理商： | 2SD1406O |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1411A | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1412A | 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1418-DC | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1418-DB | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1418DA | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1407A-O(F) | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 100V 5A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1407A-Y(F) | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 100V 5A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1407A-YF | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE |
| 2SD1407Y | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1409 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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