- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录55792 > 2SD1525 30 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SD1525 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 30 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-21F1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | 2SD1525 |
2SD1525
2009-08-06
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
hFE – IC
DC
curre
nt
gain
h
FE
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
Colle
ctor-emi
tter
sa
tura
tion
vol
tage
V
CE
(sat)
(V)
Collector current IC (A)
VBE (sat) – IC
Base-emi
tter
sa
tura
tion
vol
tage
V
BE
(sat)
(V)
Collector current IC (A)
Safe Operating Area
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
0
16
32
2
4
6
8
IB = 1 mA
2
0
Common emitter
Tc = 25°C
10
8
24
8
3
6
4
7
5
12
10000
0.1
100
300
500
1000
3000
0.3
1
3
10
100
Tc = 100°C
25
55
Common emitter
VCE = 5 V
30
5000
0.5
0.1
10
Tc = 55°C
100
25
Common emitter
IC/IB = 100
1
10
0.3
100
0.1
0.3
3
5
3
30
Common emitter
IC/IB = 100
0.5
0.1
3
5
0.3
1
10
100
Tc = 55°C
25
100
3
30
1
10
0.3
0
Tc = 25°C
100
55
16
1.6
3.2
0.8
2.4
0
8
24
Common emitter
VCE = 5 V
5
30
100
300
2
50
0.5
1
3
5
*: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be derated linearly
with increase in temperature.
IC max
(continuous)
IC max (pulsed)*
VCEO max
1 ms*
10 ms*
0.5 ms*
DC operation
Tc = 25°C
0.1
0.3
3 ms*
10
30
10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1527 | 0.5 A, 1000 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1538Q | 4 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1581 | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1581 | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1616A | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1525(F) | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN VCEO 100V VCE 5V Ic 30A hFE 1000 min RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1526 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1527(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SD1531 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATS.TRANS. TO-126B 50V 2A 1.2W ECB |
| 2SD1535 | 功能描述:TRANS NPN 400VCEO 7A TO-220F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。