型号: | 2SD1527 |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 0.5 A, 1000 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
封装: | TO-220AB, 3 PIN |
文件页数: | 1/10页 |
文件大小: | 168K |
代理商: | 2SD1527 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
2SD1538Q | 4 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD1581 | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1581 | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1616A | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SD1658 | 2 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
2SD1527(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
2SD1531 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATS.TRANS. TO-126B 50V 2A 1.2W ECB |
2SD1535 | 功能描述:TRANS NPN 400VCEO 7A TO-220F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SD1536M | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2SD1537 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB 40V 3A 25W BCE |