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参数资料
| 型号： | 2SD1527 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.5 A, 1000 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | 2SD1527 |
2SD1527
2
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
1000
—
V
I
C = 1 mA, RBE = ∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
5—
—
VI
E = 1 mA, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
——
10
AV
CB = 800 V, IE = 0
DC current transfer ratio
h
FE1
10
—
V
CE = 5 V, IC = 10 mA
h
FE2
10
—
V
CE = 5 V, IC = 100 mA
Base to emitter voltage
V
BE
—
1.2
V
CE = 5 V, IC = 100 mA
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE (sat)
—
5VI
C = 300 mA, IB = 60 mA
Gain bandwidth product
f
T
—
5
—
MHz
V
CE = 20 V, IC = 50 mA
Collector output capacitance
Cob
—
5
—
pF
V
CB = 100 V, IE = 0, f = 1 MHz
0
50
100
150
Case temperature TC (°C)
Collector
power
dissipation
Pc
(W)
Maximum Collector Dissipation Curve
30
20
10
Collector to emitter voltage VCE (V)
Collector
current
I
C
(A)
Area of Safe Operation
30
100
300
1,000
3,000
0.01
0.1
1.0
TC = 25°C
P
C
=
25
W
DC Operation
(50 V, 0.5 A)
(600 V, 0.042 A)
(1,000 V, 0.015 A)
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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