参数资料
型号: 2SD1819GR
厂商: PANASONIC CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN
文件页数: 1/4页
文件大小: 279K
代理商: 2SD1819GR
Transistors
1
Publication date: May 2007
SJC00372AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
2SD1819G
Silicon NPN epitaxial planar type
For general amplification
Complementary to 2SB1218G
■ Features
High forward current transfer ratio h
FE
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape pacing and the magazine
pacing.
■ Absolute Maximum Ratings T
a
= 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
60
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
50
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
7V
Collector current
IC
100
mA
Peak collector current
ICP
200
mA
Collector power dissipation
PC
150
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
IC = 10 A, IE = 060
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
IC = 2 mA, IB = 050
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
IE
= 10 A, I
C
= 07
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
ICBO
VCB = 20 V, IE = 0
0.1
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
ICEO
VCE = 10 V, IB = 0
100
A
Forward current transfer ratio
hFE1 *
VCE = 10 V, IC = 2 mA
160
460
hFE2
VCE = 2 V, IC = 100 mA
90
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC = 100 mA, IB = 10 mA
0.1
0.3
V
Transition frequency
fT
VCB
= 10 V, I
E
= 2 mA, f = 200 MHz
150
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
3.5
pF
(Common base, input open circuited)
■ Electrical Characteristics T
a = 25°C ± 3°C
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *: Rank classification
Rank
Q
R
S
No rank
hFE1
160 to 260
210 to 340
290 to 460
160 to 460
Marking symbol
ZQ
ZR
ZS
Z
Product of no-rank is not classified and have no marking symbol for rank.
■ Package
Code
SMini3-F2
Marking Symbol: Z
Pin Name
1: Base
2: Emitter
3: Collector
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
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参数描述
2SD1819GRL 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO SMINI 3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
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