参数资料
型号: 2SD1819GR
厂商: PANASONIC CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN
文件页数: 3/4页
文件大小: 279K
代理商: 2SD1819GR
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
SMini3-F2
Unit: mm
0.30
+0.05
0.02
0.13
+0.05
0.02
2.00 ±0.20
(0.89)
0.90
±0.10
(0.65)
1.30 ±0.10
1.25
±0.10
2.10
±0.10
0.425
±0.050
(0.49)
0to
0.10
(5
°)
(5°)
3
12
相关PDF资料
PDF描述
2SD1823T 50 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1824S 20 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1825 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1825 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1833/E 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP
相关代理商/技术参数
参数描述
2SD1819GRL 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO SMINI 3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1819GSL 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO SMINI 3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1819-QRS 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD18200RL 功能描述:TRANS NPN GP AMP 25VCEO SMINI 3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1820A0L 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO SMINI 3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR