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参数资料
| 型号： | 2SD1898T100/P |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPT3, SC-62, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 173K |
| 代理商： | 2SD1898T100/P |
1/3
www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.05 - Rev.B
Power Transistor (80V, 1A)
2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863
Features
Dimensions (Unit : mm)
1) High VCEO, VCEO=80V
2) High IC, IC=1A (DC)
3) Good hFE linearity
4) Low VCE (sat)
5) Complements the 2SB1260 /
2SB1241 / 2SB1181
Structure
Epitaxial planer type
NPN silicon transistor
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM : SPT
EIAJ : SC-72
2SD1768S
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM : ATV
2SD1863
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
2SD1733
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
2SD1898
Abbreviated symbol : DF
Taping specifications
0.1
+
0.2
0.05
+0.1
0.1
+0.2
0.1
(3)
(2)
(1)
4.0±0.3
1.0±0.2
0.5±0.1
2.5
3.0±0.2
1.5±0.1
0.4±0.1
0.5±0.1
0.4±0.1
0.4
1.5
4.5
1.6±0.1
0.1
+0.2
+
0.3
0.1
2.3±0.2
0.65±0.1
0.9
0.75
5.5
1.5
±
0.3
6.5±0.2
5.1
C0.5
(3)
(2)
(1)
0.9
0.1
+0.2
1.0±0.2
0.55±0.1
9.5
±
0.5
2.5
1.5
2.3
0.5±0.1
3±0.2
(15Min.)
4±0.2
0.45
5
(1) (2) (3)
+0.15
0.05
2.5+0.4
0.1
3Min.
2±0.2
0.45
0.5
0.05
+0.15
1.0
6.8±0.2
2.5±0.2
1.05
0.45±0.1
2.54 2.54
0.5±0.1
0.9
4.4±0.2
14.5±0.5
(1)
(2)
(3)
0.65Max.
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PDF描述 |
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