参数资料
型号: 2SD1953
厂商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors for 120V/1.5A Driver Applications(120V/1.5A驱动器应用的NPN硅外延平面型晶体管)
中文描述: 瑞展硅晶体管的120V/1.5A驱动应用(120V/1.5A驱动器应用的npn型硅外延平面型晶体管)
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文件大小: 74K
代理商: 2SD1953
2SD1953
No.2507–2/3
Electrical Connection
相关PDF资料
PDF描述
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2SD2165K 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2165 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2645 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SD1955 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR SC-64(TP)110V 3A 20W BCE
2SD1957 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220FP 120V 7A 30W BCE
2SD1958 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. TO220ML200V 1.5A 30W
2SD1963T100R 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SD1963T100S 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2