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参数资料
| 型号： | 2SD1976 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 6 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | 2SD1976 |
2SD1976
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
300
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
300
V
Emitter to base voltage
V
EBO
7V
Collector current
I
C
6A
Diode current
I
D*
1
6A
Collector peak current
I
C(peak)
10
A
Collector power dissipation
P
C*
1
40
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. Value at T
C = 25°C.
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
300
—
420
V
I
C = 0.1 mA, IE = 0
Collector to emitter sustain
voltage
V
CEO(SUS)
300
—
V
I
C = 3 A, RBE = ∞, L = 10 mH
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
7—
—
V
I
E = 50 mA, IC = 0
Collector cutoff current
I
CEO
—
100
AV
CE = 300 V, RBE = ∞
DC current transfer ratio
h
FE
500
—
V
CE = 2 V, IC = 4 A
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
—
1.5
V
I
C = 4 A, IB = 40 mA
Base to emitter saturation
voltage
V
BE(sat)
—
2.0
V
I
C = 4 A, IB = 40 mA
Emitter to collector diode
forward voltage
V
ECF
—
3.5
V
I
F = 6 A
Turn on time
t
on
—
1.2
—
sI
C = 4 A, VCC = 20 V
Storage time
t
stg
—
8.0
I
B1 = –IB2 = 40 mA
Fall time
t
f
—
8.0
—
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PDF描述 |
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| 2SD1993S | 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD1980TLR | 制造商:Rohm 功能描述:NPN_[g 100V 2A 1000`10000 DPak, SC63,TO252 Cut Tape |
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