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参数资料
| 型号： | 2SD1976 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 6 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | 2SD1976 |
2SD1976
4
Saturation Voltage vs.
Collector Current
25
°C
25
°C
75
°C
75
°C
–25
°C
–25
°C
10
3
1.0
0.3
0.1
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Base
to
emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V)
0.1
0.3
Collector current IC (A)
3
1.0
100
30
10
VBE(sat)
VCE(sat)
IC = 100 IB
Transient Thermal Resistance
100
30
10
3
1.0
0.3
0.1
1.0
10
100 (s)
0.1
1.0
10
100 (ms)
Time t (s)
Thermal
resistance
θ
j-c
(
°C/W)
TC = 25°C
0.1 s to 100
s
1 ms
to
100
ms
IC = 0.1 mA
IE = 0
500
400
300
200
100
0
–20
Zener
voltage
V
Z
(V
CBO
)
(V)
20
Ambient temperature Ta (
°C)
40
80
60
Zener Voltage vs. Ambient Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SD1993S | 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SD19790SL | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1979GSL | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1980TL | 功能描述:达林顿晶体管 D-PAK;BCE NPN;DARL SMT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SD1980TLR | 制造商:Rohm 功能描述:NPN_[g 100V 2A 1000`10000 DPak, SC63,TO252 Cut Tape |
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