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参数资料
| 型号： | 2SD1998 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | 2SD1998 |
2SB1324 / 2SD1998
No.3130-3/4
Cob -- VCB
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
A S O
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
mV
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
mV
PC -- Ta
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
Ambient Temperature, Ta --
°C
VBE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
ITR09594
10ms
1ms
1.0
5
2
3
2
33
2
3
55
7
57
10
0.1
7
5
2
3
7
5
7
2
1.0
10
3
DC
operation
--0.1
23
2
3
55
7
--1.0
7
5
7
5
--1.0
3
2
ITR09592
Ta=75°C
25°C
--25°C
0.1
23
2
3
55
7
1.0
7
5
7
5
1.0
3
2
ITR09593
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.5
1.6
ITR09595
IC / IB=20
2SB1324
Ta=75°C
25
°C
--25°C
IC / IB=20
2SD1998
100ms
2SB1324 / 2SD1998
--0.1
23
2
3
55
7
--1.0
7
--100
7
--1000
5
3
5
3
2
ITR09590
IC / IB=20
Ta
=7
5°
C
25
°C
--25
°C
0.1
23
2
3
55
7
1.0
7
100
7
1000
5
3
5
3
2
ITR09591
f=1MHz
--1.0
--10
2
23
3
55
7
10
7
100
5
3
2
ITR09588
1.0
10
2
23
3
55
7
10
7
100
5
3
2
ITR09589
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
2SB1324
IC / IB=20
2SD1998
f=1MHz
2SD1998
ICP=5A
IC=3A
Ta=25
°C
Single pulse
For PNP, minus sign is omitted
Mounted on a ceramic board (250mm2
0.8mm)
Mounted
on
a
ceramic
board
(250mm
2
0.8mm)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1324 | 3 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2006T105Q | 0.7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2006T105P | 0.7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2006T105 | 0.7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2012 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SD200 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:XISTOR |
| 2SD2000 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR TO-220FA 80V 4A 35W BCE |
| 2SD20000P | 功能描述:TRANS NPN LF 60VCEO 4A TO-220F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2000O | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-127VAR |
| 2SD2000P | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-127VAR |
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