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参数资料
| 型号： | 2SD2118RTL |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CPT3, SC-63, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | 2SD2118RTL |
1/3
www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.11 - Rev.C
Low VCE(sat) transistor (strobe flash)
2SD2118
Features
Dimensions (Unit : mm)
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) = 0.25V (Typ.)
(IC/IB = 4A / 0.1A)
2) Excellent DC current gain characteristics.
3) Complements the 2SB1412.
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
20
V
Emitter-base voltage
VEBO
6V
Collector current
IC
5
A(DC)
ICP
10
1
A(Pulse)
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Collector power
dissipation
PC
2SD2118
1
10
W(Tc
=25°C)
W
1 Single pulse Pw=10ms
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
fT
Cob
Min.
50
20
6
120
0.3
150
35
0.5
390
1.0
VIC
=50A
IC
=1mA
IE
=50A
VCB
=40V
VEB
=5V
VCE
=2V, IC=0.5A
VCE
=6V, IE=50mA, f=100MHz
IC/IB
=4A/0.1A
VCE
=20V, IE=0A, f=1MHz
V
A
V
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Measured using pulse current.
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current transfer ratio
Collector-emitter saturation voltage
Output capacitance
Transition frequency
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
2SD2118
Denotes hFE
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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