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参数资料
| 型号： | 2SD2150T100 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | 2SD2150T100 |
2SD2150
Transistors
Rev.A
1/3
Low Frequency Transistor (20V, 3A)
2SD2150
Features
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) = 0.2V(Typ.)
IC / IB = 2A / 0.1A
2) Excellent current gain characteristics.
3) Complements the 2SB1424.
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
External dimensions (Unit : mm)
2SD2150
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
0.1
+
0.2
0.05
+0.1
0.1
+0.2
0.1
(3)
(2)
(1)
1.0
±
0.2
4.0
±
0.3
0.5
±
0.1
2.5
3.0
±0.2
1.5
±0.1
1.5
±0.1
0.4
±0.1
0.5
±0.1
0.4
±0.1
0.4
1.5
4.5
1.6
±0.1
Denotes hFE
Abbreviated symbol: CF
Absolute maximum ratings (Ta=25 C)
Parameter
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
40
V
A (DC)
W
°C
20
6
3
A (Pulse)
5
0.5
2
1
2
150
55 to +150
Symbol
Limits
Unit
1 Single pulse Pw=10ms
2 Mounted on a 40×40×0.7mm Ceramic substrate.
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
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PDF描述 |
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| 2SD2161-L | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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参数描述 |
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