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参数资料
| 型号： | 2SD2150T100 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | 2SD2150T100 |
2SD2150
Transistors
Rev.A
3/3
1m
5
10
20
50
100
200
500
1000
2000
5000
2m 5m 0.010.02 0.05 0.10.2 0.5 1
2
5 10
VCE
=2V
25
°C
40°C
Ta
=100°C
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
Fig.4
DC current gain vs.
collector current
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
Fig.6
Collector-emitter
saturation voltage vs.
collector curren ( )
1m
2m
5m
0.01
1m 2m 5m
0.02 0.05
0.02
0.05
0.5
0.2
0.1
1
0.2
10
25
0.5
1
lC/lB
=20
25
°C
40°C
Ta
=100°C
2
2m
5m
10m
20m
50m
0.1
0.2
0.5
1
2m 5m10m20m50m0.1 0.2 0.5 1 2
5 10
1m
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
Fig.5
Collector-emitter
saturation voltage vs.
collector current ( )
IC/IB
=10
Ta
=100°C
25
°C
40°C
10
20
50
100
200
500
1000
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:
C
ob
(pF)
EMITTER
INPUT
CAPACITANCE
:
C
ib
(pF)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB
(V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB
(V)
Fig.9
Collector output capacitance vs.
collector-base voltage
Emitter input capacitance vs.
emitter-base voltage
Cob
Ta
=25°C
f
=1MHz
IE
=0A
IC
=0A
2
2m
5m
10m
20m
50m
0.1
0.2
0.5
1
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
Fig.7
Collector-emitter
saturation voltage vs.
collector current (
)
2m 5m10m20m50m
0.2 0.5 1 2
5 10
1m
0.1
IC/IB
=20
Ta
=100°C
25
°C
40°C
5
2
1
10 20 50100 2005001000
TRANSITION
FREQUENCY
:
f
T
(MHz)
EMITTER CURRENT : IE
(mA)
Fig.8
Gain bandwidth product vs.
emitter current
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
Ta=25
°C
VCE=2V
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