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参数资料
| 型号： | 2SD2413G |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MINIP3-F2, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 200K |
| 代理商： | 2SD2413G |
2SD2413G
2
SJD00344AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
VBE(sat) IC
hFE IC
fT IE
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
Cob VCB
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Copper plate at the collector
is more than 1 cm2 in area,
1.7 mm in thickness
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
Ambient temperature T
a (°C)
012
10
8
26
4
0
120
100
80
60
40
20
Ta
= 25°C
0.9 mA
0.7 mA
0.5 mA
0.3 mA
0.1 mA
0.8 mA
0.6 mA
0.4 mA
0.2 mA
IB
= 1.0 mA
Collector
current
I
C
(mA
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB
= 10
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB
= 10
Ta
= 25°C
25
°C
75
°C
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0.1
1
10
100
0
180
150
120
90
60
30
VCE
= 5 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
1
10
100
1000
0
60
50
40
30
20
10
VCB
= 30 V
Ta
= 25°C
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
Emitter current I
E (mA)
10
100
1 000
0
12
10
8
6
4
2
IE
= 0
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
Collector-base voltage V
CB (V)
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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