参数资料
型号: 2SD2414(SM)
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装: 2-10S2, 3 PIN
文件页数: 1/5页
文件大小: 141K
代理商: 2SD2414(SM)
2SD2414(SM)
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SD2414(SM)
High Current Switching Applications
Power Amplifier Applications
Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (at IC = 4 A)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
100
V
Collector-emitter voltage
VCEO
80
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
7
A
Base current
IB
1
A
Ta = 25°C
1.5
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
40
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Unit: mm
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-10S2
Weight: 1.4 g (typ.)
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