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参数资料
| 型号： | 2SD2414(SM) |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-10S2, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | 2SD2414(SM) |
Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7
2SK2730
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
REJ03G1028-0300
(Previous: ADE-208-493A)
Rev.3.00
Sep 07, 2005
Features
Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
Avalanche ratings
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A
(Package name: TO-3P)
1. Gate
2. Drain
(Flange)
3. Source
D
G
S
1
2
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2422 | 7 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SD2462 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2466AP | 10 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2485 | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2488 | 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD2414-SM(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SD2420AP | 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 4A TO-220D RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2425-T1-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:NPN PWR Transistor,60V,5.0A,MP-2 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 5A 4-Pin(3+Tab) MP-2 T/R |
| 2SD2425-T1-AZ-AB2 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SD2436 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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