参数资料
型号: 2SD2457GR
厂商: PANASONIC CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 1500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: ROHS COMPLIANT, MINIP3-F2, 3 PIN
文件页数: 3/4页
文件大小: 201K
代理商: 2SD2457GR
2SD2457G
3
SJD00345AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
MiniP3-F2
Unit: mm
1.60 ±0.20
4.50 ±0.10
4.00
±
0.20
0.40 ±0.08
0.50 ±0.08
1
2
3
2.60
±
0.10
0.50
max.
3.00 ±0.15
(5
°)
1.50 ±0.10
2.50
±
0.10
0.41 ±0.03
1.50 ±0.10
1.00
±
0.10
(45°)
(5°)
相关PDF资料
PDF描述
2SD2457Q 1500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2461 2 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2462 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2532 SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2539 7 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SD24590RL 功能描述:TRANS NPN 150VCEO 1A MINI PWR RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SD24590SL 功能描述:TRANS NPN 150VCEO 1A MINI PWR RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SD246 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 1500V 4.5A 16W BEC
2SD247 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 80V 5A 50W BEC
2SD2470TP 功能描述:达林顿晶体管 NPN 10V 5A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel