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参数资料
| 型号： | 2SD2462 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-8M1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | 2SD2462 |
2SD2462
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SD2462
Power Amplifier Applications
High DC current gain: hFE (1) = 800 to 3200 (VCE = 5 V, IC = 0.2 A)
Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (typ.) (IC = 1 A, IB = 10 mA)
Complementary to 2SB1602
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
60
V
Collector-emitter voltage
VCEO
60
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
DC
IC
3
Collector current
Pulse
ICP
6
A
Base current
IB
0.6
A
Collector power dissipation
PC
1.3
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-8M1A
Weight: 0.55 g (typ.)
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PDF描述 |
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