- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30592 > 2SD2462 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SD2462 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-8M1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | 2SD2462 |
2SD2462
2004-07-26
3
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
DC
c
u
rr
en
tg
ai
n
h
FE
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
Col
lect
or
-e
m
itte
rs
a
tu
ra
tion
volta
g
e
V
CE
(s
a
t)
(
V
)
Collector current IC (A)
hFE – IC
D
C
c
urre
nt
g
ain
h
FE
Collector current IC (A)
hFE – IC
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
PC – Ta
C
ollec
tor
po
wer
dis
si
pati
on
P
C
(W
)
Ambient temperature Ta (°C)
0
Common emitter
Ta = 25°C
4
2
6
8
10
3
10
50
7
5
2
IB = 0.5 mA
1
20
4
2
1
3
4
Ta = 100°C
Common emitter
VCE = 5 V
10000
300
500
1000
3000
5000
25
100
25
0.03
0.1
1
5
3
0.3
0.01
0.4
2.0
Common emitter
VCE = 5 V
0
0.5
1.0
1.5
3.0
0.6
1.0
1.4
1.2
0.8
0
Ta = 100°C
25
0.2
2.5
25
Ta = 100°C
Common emitter
IC/IB = 100
5
0.03
0.05
0.1
0.3
0.5
0.01
0.03
0.1
1
10
3
0.3
0.01
1
3
Common emitter
Ta = 25°C
10000
300
500
1000
3000
5000
100
0.03
0.1
1
5
3
0.3
0.01
VCE = 5 V
10
0
0.2
0.6
0.8
1.2
1.4
1.6
25
50
75
100
125
150
175
1.0
0.4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2532 | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2539 | 7 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2559 | 8 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2571 | 2 A, 85 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2582 | 5000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD247 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 80V 5A 50W BEC |
| 2SD2470TP | 功能描述:达林顿晶体管 NPN 10V 5A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SD24790RA | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 2A MT-3 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2480(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SD2495 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR FM20 110V 6A 30W BCE |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。