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参数资料
| 型号： | 2SD2559 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-16E3A, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 194K |
| 代理商： | 2SD2559 |
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Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology
Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both
companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid
Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Renesas Electronics website: http://www.renesas.com
April 1st, 2010
Renesas Electronics Corporation
Issued by:
Renesas Electronics Corporation (http://www.renesas.com)
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2571 | 2 A, 85 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2582 | 5000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD2592S | POWER TRANSISTOR |
| 2SD2592S | POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SD2561 | 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Trans Darlington NPN 150V 17A 3-Pin MT-200 Bulk 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS NPN DARL 150V 17A MT200 |
| 2SD2562 | 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Bulk 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS NPN DARL 150V 15A TO3PF |
| 2SD256500A | 功能描述:TRANS NPN 400VCEO 500MA MT-2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD25730QA | 功能描述:TRANS NPN 60VCEO 3A MT-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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