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参数资料
| 型号： | 2SD2559 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-16E3A, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 194K |
| 代理商： | 2SD2559 |
Data Sheet PU10781EJ01V0DS
3
2SC5606
TYPICAL CHARACTERISTICS (Unless otherwise specified, TA = +25
°C)
Mounted on Glass Epoxy Board
(1.08 cm
2
× 1.0 mm (t) )
200
150
115
100
50
0
25
0
50
75
100
125
150
Total
Power
Dissipation
P
tot
(mW)
Ambient Temperature TA (
°C)
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
f = 1 MHz
1.0
0.1
1.0
0.1
10.0
100.0
Reverse
Transfer
Capacitance
C
re
(pF)
Collector to Base Voltage VCB (V)
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
650 A
μ
IB 100 A step
μ
IB = 50 A
μ
250 A
μ
450 A
μ
40
30
20
10
0
12
3
04
Collector
Current
I
C
(mA)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
DC
Current
Gain
h
FE
Collector Current IC (mA)
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
Base to Emitter Voltage VBE (V)
Collector
Current
I
C
(mA)
50
40
30
20
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VCE = 2 V
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
1 000
100
10
0.1
10.0
1.0
100.0
VCE = 2 V
Remark The graphs indicate nominal characteristics.
<R>
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参数描述 |
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