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参数资料
| 型号： | 2SD2559 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-16E3A, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 194K |
| 代理商： | 2SD2559 |
Data Sheet PU10781EJ01V0DS
4
2SC5606
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(GHz)
Collector Current IC (mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(GHz)
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Collector Current IC (mA)
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
VCE = 1 V
IC = 10 mA
35
25
30
20
15
10
5
0
0.1
1.0
10.0
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN
vs. FREQUENCY
VCE = 2 V
IC = 20 mA
35
25
30
20
15
10
5
0
0.1
1.0
10.0
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN
vs. FREQUENCY
30
25
20
15
10
5
0
1
10
100
VCE = 1 V
f = 2 GHz
30
25
20
15
10
5
0
1
10
100
VCE = 2 V
f = 2 GHz
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1
10
100
VCE = 1 V
f = 2 GHz
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1
10
100
VCE = 2 V
f = 2 GHz
Remark The graphs indicate nominal characteristics.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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