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参数资料
| 型号： | 2SD2559 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-16E3A, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 164K |
| 代理商： | 2SD2559 |
2SD2559
2004-07-07
2
Electrical Characteristics (Tc
= 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 1500 V, IE = 0
1
mA
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
83
250
mA
Emitter-base breakdown voltage
V (BR) EBO
IE = 300 mA, IB = 0
5
V
hFE (1)
VCE = 5 V, IC = 1 A
10
30
DC current gain
hFE (2)
VCE = 5 V, IC = 6 A
5
9
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 6 A, IB = 1.2 A
5
V
Base-emitter saturation voltage
VBE (sat)
IC = 6 A, IB = 1.2 A
1.5
V
Forward voltage (damper diode)
VF
IF = 6 A
1.8
V
Transition frequency
fT
VCE = 10 V, IC = 0.1 A
2
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
125
pF
Storage time
tstg
6
8.5
Switching time
Fall time
tf
ICP = 6 A, IB1 (end) = 1.2 A,
fH = 15.75 kHz
0.4
0.7
s
Marking
D2559
TOSHIBA
Part No. (or abbreviation code)
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
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PDF描述 |
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