参数资料
型号: 2SD2559
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 8 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装: 2-16E3A, 3 PIN
文件页数: 3/6页
文件大小: 164K
代理商: 2SD2559
2SA1953
2003-03-27
3
相关PDF资料
PDF描述
2SD2561P 17 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2599 3.5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2634 8 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2649 6 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2661T100 2000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SD2560 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Trans Darlington NPN 150V 15A 3-Pin (3+Tab) TO-3P Bulk 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Trans Darlington NPN 150V 15A 3-Pin (3+Tab) TO-3P Box 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS NPN AUDIO/GP MT-100 TO-3P
2SD2561 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Trans Darlington NPN 150V 17A 3-Pin MT-200 Bulk 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS NPN DARL 150V 17A MT200
2SD2562 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Bulk 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS NPN DARL 150V 15A TO3PF
2SD256500A 功能描述:TRANS NPN 400VCEO 500MA MT-2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SD25730QA 功能描述:TRANS NPN 60VCEO 3A MT-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR