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参数资料
| 型号： | 2SD2678T100 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | 2SD2678T100 |
2SD2678
Transistors
Rev.A
1/2
Packaging type
Code
Taping
Package
MPT3
Basic ordering unit (pieces)
2SD2678
T100
1000
Part No.
3A / 12V Bipolar transistor
2SD2678
Applications
Dimensions (Unit : mm)
Low frequency amplification, driver
Features
1) Collector current is high.
2) Low collector-emitter saturation voltage.
(VCE(sat)
≤ 250mV at IC= 1.5A, IB= 30mA)
Structure
NPN epitaxial planar silicon transistor
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Packaging specifications
Power dissipation
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Junction temperature
Storage temperature
PC
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
tj
tstg
Limits
15
12
6
3
0.5
2
150
55 to +150
Unit
V
A
ICP
DC
Pulse
6
W
°C
1
2
3
1 Pw=1ms, Pulsed.
2 Each terminal mounted on a recommended land.
3 Mounted on a 40×40×0.7mm ceramic board.
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Conditions
Collector-base breakdown voltage
IC=10
A
Collector-emitter breakdown voltage
IC=1mA
Emitter-base breakdown voltage
IE=10
A
Collector cut-off current
VCB=15V
Emitter cut-off current
VEB=6V
Collector-emitter saturation voltage
IC/IB=1.5A/30mA
DC current gain
VCE=2V, IC=500mA
Transition frequency
VCE=2V, IE=
500mA , f=100MHz
Collector output capacitance
Pulsed
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
fT
Cob
Min.
15
12
6
270
Typ.
120
360
20
Max.
100
250
680
Unit
V
nA
mV
MHz
pF
VCB=10V , IE=0mA , f=1MHz
MPT3
(1)Base
(2)Collector
(3)Emitter
Abbreviated symbol : XX
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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