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参数资料
| 型号： | 2SD2686 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, SC-62, 2-5K1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | 2SD2686 |
2SD2686
2006-11-21
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power)
2SD2686
Solenoid Drive Applications
Motor Drive Applications
High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 A, IC = 1 A)
Zener diode included between collector and base
Absolute Maximum Ratings (Ta
= 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
60
±10
V
Emitter-base voltage
VEBO
8
V
DC
IC
1
Collector current
Pulse
ICP
3
A
Base current
IB
0.5
A
DC
1.0
Collector power
dissipation
t
= 10 s
PC (Note 1)
2.5
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note 1: Mounted on an FR4 board (glass-epoxy; 1.6 mm thick; Cu area,
645 mm
2)
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of
high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Equivalent Circuit
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-62
TOSHIBA
2-5K1A
Weight: 0.05 g (typ.)
Emitter
Collector
Base
≒5k
≒300
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2688LS | 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD2695 | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD2704KT146 | 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2714 | 2000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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